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新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 新品快遞 > GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺

GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺

—— 突破能源效率瓶頸 加速應用版圖拓展
作者:時間:2023-09-28來源:電子產品世界收藏

全球功率半導體領導廠商 今推出全新第四代平臺 (Gen 4 GaN Power Platform),不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿,更提供顯著的性能表現優化及業界領先的質量因子 (figures of merit)。以 在 2022 年發表的 3.2kW 人工智能(AI) 服務器電源供應器來看,改采用最新第四代平臺,不僅效率超過鈦金級能效標準,功率密度更從 100W/in3提升至 120W/in3。 

本文引用地址:http://www.cinargozlemevi.net/article/202309/451117.htm

第四代平臺將為消費電子、數據中心、光伏、工業及汽車等應用場域帶來突破性的革新。相較硅、碳化硅 (SiC)、甚至其他產品,該第四代平臺能進一步降低的物料清單 (Bill-of-Material) 成本,提供卓越成本效益。GaN Systems作為氮化鎵功率器件首選供貨商,致力于協助客戶創造市場差異化,鞏固競爭優勢。 

「我們的主要客戶已認可第四代氮化鎵平臺的優勢。該平臺充分體現 GaN Systems 致力于突破產品性能,實現下世代能效水平的承諾,」GaN Systems 全球執行官 Jim Witham表示,「面對市場的瞬息萬變,GaN Systems 透過深化與像臺積電這樣的產業領導公司間的策略合作關系,持續投資研發,提供能滿足客戶需求的解決方案?!笹aN Systems 正引領全球電源產業的轉型,在產品組合完整度、封裝技術創新、功能豐富度、及性能表現上皆擁有領先優勢。 

功率電子技術的大躍進 

GaN Systems 第四代氮化鎵平臺提供以下優勢: 

●   輸入/輸出質量因子提升超過 20%,實現更低的損耗、效率優化及卓越成本效益。 

●   提供包括 PDFN、TOLL、TOLT 及嵌入式 (Embedded) 等不同封裝選項,針對不同應用搭配最適當的 Rds 阻抗和封裝組合,實現卓越電氣和熱性能表現。 

●   700V 氮化鎵E-mode晶體管提供當前業界最高的瞬態電壓額定值,達850V,大幅提升整體系統可靠性及穩健性,此額定值使半導體組件能夠承受用戶環境中的異常情況,如電壓突波,確保不間斷且可靠的性能。 

●   提供適用于 20W 到 25,000W 電源系統的導通電阻。 



關鍵詞: GaN Systems 氮化鎵

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