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新聞中心

EEPW首頁 > 嵌入式系統 > 業界動態 > 格芯和Microchip宣布Microchip 28納米SuperFlash嵌入式閃存解決方案投產

格芯和Microchip宣布Microchip 28納米SuperFlash嵌入式閃存解決方案投產

—— 廣泛部署的非易失性存儲器(NVM)解決方案針對單片機(MCU)、智能卡和物聯網芯片進行了優化
作者:時間:2023-09-29來源:電子產品世界收藏

(GlobalFoundries)與 Technology Inc.(美國微芯科技公司)及其旗下子公司Silicon Storage Technology? (SST?)近日宣布,采用 GF 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式技術NVM 解決方案即將投產。

本文引用地址:http://www.cinargozlemevi.net/article/202309/451125.htm

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在實施SST廣泛部署的ESF3 技術方面,確立了新的行業基準。該實施方案具有以下功能和優勢:

●   成本最低的28納米HKMG ESF3解決方案,僅增加了10個掩模,包括真正的5V IO CMOS器件

●   SST ESF3 位單元尺寸小于 0.05 平方微米,極具競爭力

●   工作溫度額定值為?40°C至125°C

●   讀取訪問時間為25 ns 、編程時間為10 us、擦除時間為4 ms

●   超過100,000次編程/擦除循環的耐用性

●   不影響使用GF 28SLPe平臺合格IP的設計流程(EG 流程)

●   可立即提供4 Mb至32 Mb 的現成宏程序

●   可從SST或GF獲得定制宏設計支持

隨著邊緣智能化水平的不斷提高,的用例也呈爆炸式增長。 在家庭和工業物聯網以及智能移動設備的廣泛應用中,用于安全代碼存儲、OTA更新和增強功能的嵌入式內存正呈上升趨勢。滿足這些需求需要創新的平臺。

首席業務部官員Mike Hogan表示:“格芯很榮幸能與SST合作,在我們強大的28SLPe平臺上開發、認證并投產這款令人印象深刻的嵌入式NVM解決方案。格芯的客戶發現,這款解決方案集高性能、出色的可靠性、IP可用性和成本效益于一身,非常適合先進的MCU、復雜的智能卡以及面向消費和工業產品的物聯網芯片?!?/p>

授權業務部兼SST副總裁Mark Reiten表示:“過去十年,SST與格芯緊密合作,將SST的行業標準ESF1和ESF3 技術集成到格芯的130納米BCD、55 納米、40 納米以及當前的28 納米制程平臺并實現產品化。我們欽佩格芯在提供最廣泛的嵌入式NVM解決方案方面的領先地位,期待雙方的緊密合作關系在未來十年帶來更多突破?!?/p>

在今天于慕尼黑舉行的格芯 GTS峰會期間,SST在IP合作伙伴區展出其技術。

警示聲明

本新聞稿中有關GF在實施SST廣泛部署的ESF3超級閃存技術方面建立了新的行業基準,以及GF正在建立最廣泛的嵌入式NVM解決方案,同時期待與GF的緊密合作關系在未來十年實現更多突破的表述,均為根據1995年《私人證券訴訟改革法案》的安全港條款做出的前瞻性表述。



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